株式会社トリケミカル


TCLCの研究

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トリケミカル研究所が行なった研究開発の講演・発表をご紹介いたします。
 

題名: Realization of High Stable Porous SiOCH Films (k=2.3-2.4, Er=8.0 GPa) using DcPDMOS by O2 Addition and UV Cure
発表学会名: Advanced Metallization Conference 2008: 18th Asian Session
2008/10/8東京大学
題名: Realization of High Stable Porous SiOCH Films (k=2.3-2.4, Er=8.0 GPa) using DcPDMOS by O2 Addition and UV Cure
発表学会名: Advanced Metallization Conference 2008 (AMC) 2008
2008/9/23San Diego, U.S.A
題名:Chemical Vapor Deposition of Ni-Pt thin film using Pt(PF3)4 and Ni(PF3)4
発表学会名:ADMETA 2007 17th Asian Session
2007/10/23東京大学
題名:Pt(PF3)4/Ni(PF3)4を用いたCVD法によるNi-Pt薄膜の堆積
発表学会名:先端半導体研究所ワークショップ
2007/10/6明治大学
題名:W-CVD using biscyclopentadienyltungsten system
発表学会名:Advanced Metallization Conference 2006 (AMC) 2006
2006/10/18San Diego, U.S.A
題名:Properties of chemical reaction during Ni and Ni-silicide deposition using Ni(PF3)4 and Si3H8
発表学会名:Advanced Metallization Conference 2006 (ADMETA2006)
2006/9/26Tokyo,Japan
題名:Properties of Ni and Ni-silicide deposition using Ni(PF3)4 and Si3H8
発表学会名:International Workshop on Sustainable Energy and Materials (IWSEM2006)
2006/9/5Tokyo,Japan
題名:W-CVD using (i-PrCp)2WH2
発表学会名:International Workshop on Sustainable Energy and Materials (IWSEM2006)
2006/9/5Tokyo,Japan
題名:CVDによるNiシリサイドの堆積(II)
発表学会名:第67回応用物理学会学術講演会
2006/8/31立命館大学
題名:Chemical Vapor Deposition of NiSi using Ni(PF3)4 and Si3H8
発表学会名:Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicide 2006 (APAC-silicide 2006)
2006/7/30kyoto, Japan
題名:Ultra Low-k Film Deposition By PECVD Using a Novel Organosilane as a Precursor
発表学会名:2006 MRS Spring Meeting
2006/4/18San Francisco, CA
題名:CVDによるNiシリサイドの堆積
発表学会名:第53回応用物理学会関係連合講演会
2006/3/24武蔵工業大学
題名:Ni-silicide precursor for gate electrodes
発表学会名:27th International Symposium of Dry Process (DPS2006)
2005/11/29Cheju, Korea
題名:Chemical Vapor Deposition of Ni-silicide for gate electrodes
発表学会名:Advanced Metallization Conference 2005 (ADMETA2005)
2005/10/13Tokyo,Japan
題名:Composition control of Ni-silicide by CVD using Ni(PF3)4 and Si3H8
発表学会名:The 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2005)
2005/9/14Kobe,Japan
題名:CVDによるNiシリサイドゲート電極の堆積
発表学会名:第66回応用物理学会学術講演会,
2005/9/10徳島大学
題名:W成膜のための液体CVD原料(i-PrCp)2WH2
発表学会名:第67回応用物理学会学術講演会,
2005/9/10徳島大学
題名:新規Si化合物を用いたプラズマCVDによるLow-k薄膜の作製
発表学会名:第66回応用物理学会学術講演会,
2005/9/7徳島大学
題名:Nickel thin film deposition using Ni(PF3)4 for LSI electrode
発表学会名:207th meeting of Electrochemical society (ECS)
2005/5/17Quebec, Canada
題名:Ni(PF3)4を用いたNi薄膜の堆積(II)
発表学会名:第52回応用物理学会関係連合講演会
2005/4/1埼玉大学
題名:Ni Thin Film Deposition using tetrakistrifluorophosphinenickel (0), Ni(PF3)4
発表学会名:Advanced Metallization Conference 2004 (ADMETA2004)
2004/9/29Tokyo,Japan
題名:Ni(PF3)4を用いたNi薄膜の堆積
発表学会名:第65回応用物理学会学術講演会
2004/9/2東北学院大学
題名:Surface reactions in Ni MOCVD using cyclopentadienylallylnickel as a precursor
発表学会名:14th International Conference on Crystal Growth (ICCG-14)
2004/8/9Grenoble, France
題名:MOCVD法によるNiの成膜
発表学会名:第51回応用物理学会関係連合講演会,
2004/3/28東京工科大学
題名:Ni precursor for chemical vapor deposition of NiSi
発表学会名:The 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2003)
2003/9/17Tokyo,Japan
題名:MOCVD法によるNiSi(II)成膜
発表学会名:第64回応用物理学会学術講演会
2003/8/31福岡大学
題名:Organometallic Hf and Si precursors for Hf1-XSi XO2 thin film formation
発表学会名:Advanced Metallization Conference 2002 (ADMETA2002)
2002/10/30Tokyo,Japan
題名:Organometallic Hf and Si precursors for HfSiO2-CVD and ALD process
発表学会名:Atomic Layer Deposition Conference (ALD2002)
2002/8/20Seoul, Korea
題名:HfO2 and Hf1-xSixO2 deposition by MOCVD using TDEAH
発表学会名:Advanced Metallization Conference 2001 (ADMETA2001)
2001/10/30Tokyo,Japan
題名:MOCVD法によるHfO2膜の堆積(III)
発表学会名:第62回応用物理学会学術講演会
2001/9/2愛知工業大学
 

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