株式会社トリケミカル


Si半導体

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半導体産業をリードする半導体。
技術進歩が進む中でメモリー製品の多様化が
進んでいます。
高集積化、高性能化を左右するのが
材料技術の進歩であることは言うまでもありません。
TCLCはエッチングガスや成膜材料を中心に
貢献しております。
 
 
 


エッチング

Poly-Si/アモルファスSi HBr
SiCl4
配線 BCl3
BBr3
CHCl3
絶縁膜 炭化フッ素系化合物

イオン注入

BF3(B化合物)
PF3
GeF4
Sb化合物

クリーニング

CH3OH
炭化フッ素系化合物

配線関係

シード層
配線材料
Cu-CVD HfacCu:TMVS/TMVS
(Hfac)2Cu:DMDV
Al-CVD DMAH
DMEAA
バリアメタル TiN-CVD TiCl4
TDMAT
TDEAT
TaN-CVD アミノタンタル化合物

絶縁膜関係

Low-k
(低比誘電率膜)
Low-k CVD DMDMOS
アルキルシリコン化合物
高比誘電率膜 BST-CVD Ba(DPM)2
Sr(DPM)2
Ti(i-OC3H7)4
SBT-CVD Sr(DPM)2
Bi(CH3)3/Solution
Ta(OC2H5)5
High-k CVD TMA
Zr[N(C2H5)2]4
Hf[N(C2H5)2]4
強誘電体 PZT-CVD Pb(DPM)2
Zr(DPM)4
Zr(t-OC4H9)4
Ti(i-OC3H7)4
電極 Pt(CH3)(CH3C5H4)
Ir(AcAc)3
 
 
 

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